سه شنبه ٢٠ آذر ١٤٠٣






دکتر آرش دقیقی

دانشیار

مهندسی برق (الکترونیک، مخابرات)

دانشکده فنی و مهندسی

تلفن: 09136279359 (SMS)

E-mail: A [at] B , A = daghighi-a , B = sku.ac.ir OR A = arash.daghighi , B = gmail.com

دفتر کار مجازی

زمینه های تحقیقاتی
   فارغ التحصیل دکتری مهندسی برق گرایش ادوات مایکروالکترونیک از دانشگاه ایالتی واشنگتن آمریکا: سال 2004
   کنترل و اتوماسیون سیستمهای صنعتی تولید فولاد - 25 سال سابقه
   ادوات و مدارات سیلیکون روی عایق
   ادوات سیلیکون روی الماس
   ادوات سیلیکون روی الماس دو لایه (پتنت بین المللی ثبت شده در آمریکا) - مقالات چاپ شده در جورنال معتبر: پایگاه خبری فناوری نانو ایران - news.nano.ir
   کنترل و اتوماسیون سیستمهای صنعتی تولید الیاف پلیمری و موکت - 25 سال سابقه
   مدارت آنالوگ و RF (پتنت بین المللی ثبت شده در آمریکا) - مقالات چاپ شده در جورنال معتبر : پایگاه خبری فناوری نانو ایران - news.nano.ir
   مدارات SRAM ،CatchRAM و الکترونیک دیجیتال
   تئوری و تکنولوژی ساخت ادوات نیمه هادی: Theory and Technology of Semiconductor Device Fabrication
   محاسبات کوانتومی و مدل سازی در ترانزیستورها - نانو الکترونیک Nano-Electronics



سوابق تحصیلی
   دکتری، مهندسی برق، دانشگاه ایالتی واشنگتن، ایالات متحده امریکا، تاريخ فارغ التحصيلی: ١٣٨٣
   کارشناسی ارشد، مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، ایران ، تاريخ فارغ التحصيلی: ١٣٧٦
   کارشناسی ، مهندسی برق، دانشگاه صنعتی اصفهان، ایران ، تاريخ فارغ التحصيلی: ١٣٧٤

مقالات
International Journal
1. Arash Daghighi, Afshin Dadkhah, A Capacitance Model for Threshold Voltage Computation of Double-Insulating Fully- Depleted Silicon-on-Diamond MOSFET , The European Physical Journal Plus, 138(12), Dec. 2023.
2. Afshin Dadkhah, Arash Daghighi, A Capacitance Model for Front- and Back-Gate Threshold Voltage Computation of Ultra-Thin-Body and BOX Double-Insulating Silicon-on-Diamond MOSFET , Jordan Journal of Electrical Engineering, Vol. 9, No. 3, 2023, pp. 357-368.
3. A. Daghighi, A. Khalilzad, Body Current Optimization using Threshold-Voltage-Adjust-Implant Engineering in 45nm SOI MOSFET , Majlesi Journal of Electrical Engineering, Vol. 15, No. 4, pp. 109-113, Dec. 2021
4. M. Teshnehlab and A. Daghighi, Multivariable Process Control using Flexible-Neural-Networks , 6th Iranian Conference on Electrical Engineering, PP. 225-229, 1998.
5. M. Teshnehlab and A. Daghighi, Expert Neural-Network Controller for Real Experimental System , 3rd Asian Control Conference, ASCC, PP 326-329, 2000, China
6. A. Daghighi and M. A. Osman, Optimization of Body Contacts in SOI-MOSFETs , IEEE Workshop on micro-electronics and Electron Devices, Boise, Idaho, October 25, 2002, USA.
7. A Daghighi and M A Osman, A Two-dimensional Model for Investigating Body Contact Structures in PD SOI MOSFETs , Microelectronic Engineering, Elsevier Science, Vol 70/1, pp 83-92, 2003.
8. A. Daghighi and M. A. Osman, Three-Dimensional Simulation of Body Contact-Structures in PD SOI-MOSFETs , 15th IEEE Biennial UGIM Microelectronic Symposium, PP. 288-291, 2003, USA.
9. A. Daghighi and M. A. Osman, Small-Signal Analysis of A SOI-MOSFET Device with novel Area-Efficient Body Contact , IEEE SoutheastCon 2005, PP. 88-91, 2005, USA.
10. A. Daghighi and M. A. Osman, Application of A new Body Contact to SOI LD-MOSFET Devices, 3-D Simulation , 30th IEEE International Semiconductor Conference, Oct 15-17, 2007, Romania.
11. A Daghighi, MA Osman and MA Imam, An Area Efficient Body Contact for Low and High Voltage SOI MOSFET Devices , Solid-State Electronics, Elsevier Science, 52, 196–204, 2008.
12. K Ghowsi, A Daghighi and H Ghowsi, Conductometric studies of simple electrolytes and micellar solutions , Asian Journal of Chemistry, Vol 22, No 6, 2010.
13. S Otroj, A Sagaiean, A Daghighi and Z Nemati, The effect of nano-size additives on the electrical conductivity of matrix suspension and properties of self-flowing low-cement high alumina refractory castables , Ceramics International, Elsevier Science, Vol 36, No 4, 2010.
14. A Daghighi, K Ghowsi and M Nilforoushan, Automated conductometry measurements of simple electrolytes and micellar solutions using a voltage divider technique , Journal of solution chemistry, SpringerLink, Vol 39, No 7, pp 959-966, 2010.
15. S Otroj, MR Nilforoushan, A Daghighi and R Marzban, Impact of Dispersants on the Mechanical Strength Development of Alumina-Spinel Self Flowing Refractory Castables , The Journal Ceramics-Silikáty, Vol 54, No 3, pp 284-289, 2010.
16. S Otroj and A Daghighi, Microstructure and Phase Evolution of Alumina-Spinel Self-Flowing Refractory Castables Containing Nano-Alumina Particles , Ceramics International, Elsevier Science, Vol 37, No 3, pp 1003-1009, April 2011.
17. A Daghighi and MA Osman, Experimental Characterization of PD SOI MOSFET Devices Fabricated with Diamond-Shaped Body Contact , International Journal of Electronics, Vol 98, No 6, pp 801-812, June 2011.
18. A Daghighi, A Novel Structure to Improve DIBL in Fully-Depleted Silicon on Diamond Substrate , Diamond and Related Materials, 40, pp 51-55, 2013.
19. A Daghighi, Output-conductance transition-free method for improving radio frequency linearity of Silicon-on-Insulator MOSFET circuits , IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 61, No. 7, July 2014.
20. Arash Daghighi, Hadi Hematian , Diamond-shaped body contact for on-state breakdown voltage improvement of SOI LDMOSFET , Solid-State Electronics, Volume 129, March 2017, Pages 182-187.
21. Arash Daghighi, Method for improving the radio frequency linearity of silicon-on-insulator MOSFET circuits (US8375341B2) , USPTO patent office, 2013.
22. Arash Daghighi, Double insulating silicon on diamond device (US9077588B2) , USPTO patent office, 2015.



کتب و جزوات
١. A. Daghighi، Diamond-Shaped Body Contact for Silicon-on-Insulator MOSFET, Structure and Design، 1st Edition, LAP LAMBERT Academic Publishing, ISBN, 978-3843389518



افتخارات
١. دانش آموز منتخب المپیاد فیزیک کشوری - سال 1369 - دریافت لوح تقدیر از پدر علم نوین فیزیک ایران، مرحوم دکتر محمود حسابی



پایان نامه ها
ردیف نام دانشجو عنوان تاریخ دفاع
١. آرش رئیسی شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس 2 لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک سه شنبه ٤ بهمن ١٤٠١
٢. افشین دادخواه استخراج مدل مداری نزدیک به ولتاژ آستانه برای افزاره‌ی سیلیکون بر روی الماس دو لایه به منظور محاسبه‌ ولتاژ استانه یکشنبه ١ اسفند ١٤٠٠
٣. مجید حیدرزاده دهکردی محاسبه ولتاژ آستانه ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه تخلیه کامل بدنه فوق نازک با سورس و درین فرورفته به روش تحلیلی یکشنبه ١ اسفند ١٤٠٠
٤. عبدالله خلیل زاد حداقل کردن جریان زیرلایه با تغییر ایمپلنت تنظیم ولتاژ آستانه در ترانزیستورهای نیمه تخلیه سیلیکون روی عایق سه شنبه ١٦ شهريور ١٤٠٠
٥. محمد عسکری استفاده عملی از کنترلر فازی جهت جایگزینی کنترلر سرو ولو های هیدرولیکی در مجتمع فولاد مبارکه یکشنبه ٢٧ بهمن ١٣٩٨






کلیه حقوق سایت برای دانشگاه شهرکرد محفوظ است